3П910Б-2(Ni)

Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шотки и каналом n-типа сверхвысокочастотные генераторные.

Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах на частотах до 8 ГГц в герметизированной аппаратуре.

Транзисторы 3П910А-2, 3П910Б-2 бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе. 

Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя. 

Транзисторы 3П910А-5, 3П910Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке.

Масса бескорпусного транзистора не более 1,5 г, кристалла не более 0,0003 г.