3П603А-2(Ni)

Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шотки и каналом n-типа сверхвысокочастотные генераторные.

Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 12 ГГц в герметизированной аппаратуре. 

Транзисторы 3П603А-2, 3П603Б-2, 3П603А1-2, 3П603Б1-2 бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе. 

Тип прибора обозначается маркировочной точкой на крышке кристаллодержателя: красной для 3П603А-2, белой для 3П603Б-2, или на выводе истока: красной для 3П603А1-2, белой для 3П603Б1-2. 

Транзисторы 3П603А-5, 3П603Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем. 

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзисторов 

   - 3П603А-2, 3П603Б-2 не более 0,2 г, 

   - 3П603А1-2, 3П603Б1-2 не более 0,15 г, 

   - 3П603А-5, 3П603Б-5 не более 0,0006 г.

Тип корпуса: КТ-75.

Технические условия: аА0.339.461 ТУ.