3П602Б-2(Ni)

Транзисторы 3П602Б-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шотки и каналом п-типа сверхвысокочастотные генераторные. 

Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях частоты на частотах 3...12 ГГц в герметизированной аппаратуре. 

Транзисторы 3П602А-2, 3П602Б-2, 3П602В-2, 3П602Г-2, 3П602Д-2 бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе. 

Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя. 

Транзисторы 3П602Б-5, 3П602Д-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для применения в гибридных интегральных микросхемах. 

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса бескорпусного транзистора не более 1,5 г, кристалла не более 0,0006 г.

Тип корпуса: КТ-52.

Технические условия: аА0.339.227 ТУ.