2Т965А (NI)

Транзисторы 2Т965А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности диапазона частот 1,5...30 МГц при напряжении питания 12,6 В.

Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 6 г.

Тип корпуса: КТ-30.

Технические условия: аА0.339.217 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т965А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 32 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 100 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,01кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 10 мА (36В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 100 пФ;

• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 13 дБ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 30 МГц