2Т945А (NI)

Транзисторы  2Т945А  кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. 

Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах. 

Транзисторы  2Т945А , 2Т945Б, 2Т945В, 2Т945Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе. 

Транзистор  2Т945А-5 выпускаются в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. 

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г.

Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Технические условия: аА0.339.155 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора  2Т945А :

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менне 51 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (10Ом);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (150В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,17 Ом;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1.1 мкс