2Т827Б(Ni)

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные. 

Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики. 

Транзисторы 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе. 

Транзистор 2Т827А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем. 

Тип прибора указывается в этикетке.

Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г.

Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).

Технические условия: аА0.339.139 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т827Б:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;

• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (100В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 18000;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом