2Т818В(Ni)

Транзисторы 2Т818В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. 

Транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. 

Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Масса не более 20 г.

Тип корпуса: КТ-9.

Технические условия: аА0.339.141 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т818В:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,27 Ом