2Т643А-2(Ni)

Транзисторы 2Т643А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. 

Предназначены для применения в схеме с общей базой в усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 2...8 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. 

Транзисторы 2Т643А-2, 2Т643Б-2, КТ643А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами. 

Транзистор 2Т643А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. 

Размер кристалла 0,4х0,4x0,06 мм. 

Транзисторы маркируются условным кодом: 

   -2Т643А-2 - одной зеленой точкой, 

   -2Т643Б-2 - одной желтой точкой, 

   -КТ643А-2 - двумя зелеными точками. 

Тип прибора указывается на этикетке.

Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0001 г.

Тип корпуса: КТ-22.

Технические условия: аА0.339.138 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т643А-2:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,1 Вт;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 120 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (25В);

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ;

• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,48 Вт на частоте 8 ГГц