2Т633А(Au)

Транзисторы 2Т633А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. 

Предназначены для применения в высокочастотных и импульсных устройствах в схеме с общей базой. 

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе. 

Масса транзистора не более 3 г.

Тип корпуса: КТ-2-7.

Технические условия: аА0.339.007 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т633А:

• Структура транзистора: n-p-n;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,2 Вт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;

• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мкА (30В);

• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 140;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,5 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом;

• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 20 МГц