2Т363Б(Au)

Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 

Транзисторы 2Т363А, 2Т363Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса. 

Масса транзистора в не более 0,5 г,

Тип корпуса: КТ-1-7.

Технические условия: ЩТ0.336.008 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т363Б:

• Структура транзистора: p-n-p;

• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;

• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1500 МГц;

• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 12 В (1кОм);

• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120;

• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 35 Ом;

• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 75 пс