2П303И (AU)

Транзисторы 2П303И кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. 

Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением. 

Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. 

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 

Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 0,5 г.

Тип корпуса: КТ-1-12.

Технические условия: АЕЯР.432140.203 ТУ.